Infineon Gate-Treiber-Modul 1.8 A SOIC 20 V 35 ns

Die Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Treiberkreuzleitung ausgelegt ist. Der schwebende Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die mit bis zu 600 V arbeitet.

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V