Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 14N 35ns

Die Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Leistungserdung +/- 5 V Offset
Geringere Di/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit
Ausgangsquellen-/Sinkstromvermögen: 1,4 A/1,8 A
RoHS-konform