Infineon Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 600 mA 14-Pin SOIC-14 20 V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 257-5590
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21094SPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 55 - 55 | € 1,725 | € 94,88 |
| 110 - 220 | € 1,398 | € 76,89 |
| 275 - 495 | € 1,311 | € 72,11 |
| 550 - 1045 | € 1,225 | € 67,38 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5590
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21094SPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Gehäusegröße | SOIC-14 | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 100ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 14 | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Gehäusegröße SOIC-14 | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 100ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Halbbrückentreiber von Infineon sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen High- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Querleitung der Treiber ausgelegt ist. Der schwebende Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die mit bis zu 600 V arbeitet.
Floating-Gate-Treiber für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis +600 V
Tolerant gegenüber negativen transienten Spannungen, dV/dt-unempfindlich
Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle
33 V, 5 V, und 15-V-Logikeingänge kompatibel
Logik zur Verhinderung von Querschlüssen
Abgestimmte Laufzeitverzögerung für beide Kanäle
High-Side-Ausgang in Phase mit HIN-Eingang
Logik- und Versorgungsmasse +/- 5 V Offset
Programmierbar bis zu 5 μs mit einem externen Widerstand
Gatetreiber mit niedrigerem di/dt für bessere Störfestigkeit
Abschalteingang schaltet beide Kanäle ab
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