DiodesZetex DGD2005S8-13 Gate-Treiber-Modul 690 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 246-7489
- Herst. Teile-Nr.:
- DGD2005S8-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DGD2005S8-13
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 690mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 690mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein Mittelspannungs-/Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration antreiben kann. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen die Hochspannungsseite des DGD2005, in einem Bootstrap-Betrieb auf 200 V umzuschalten. Die Ausbreitungsverzögerung von 30 ns (maximal) zwischen den Treibern der Hoch- und Niederspannungsseite ermöglicht ein Hochfrequenzschalten. Der DGD2005 ist in einem platzsparenden SO-8-Gehäuse erhältlich und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis +125 °C.
Große Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Schwimmender High-Side-Treiber im Bootstrap-Betrieb bis 200 V Treibt 2 N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber Erweiterter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
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