Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 600 mA 8-Pin SOIC 20V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-4001
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2005STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 170ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | IRS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 170ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie IRS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber-IC der IRS-Serie von Infineon, 0,60 A Ausgangsstrom, SOIC-Gehäuse – IRS2005STRPBF
Dieser Gate-Treiber-IC bietet einen Gate-Treiber für Leistungs-MOSFETs und ähnliche Schaltgeräte in einer Niederspannungsversorgungsumgebung. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V und ist für industrielle Anwendungen vorgesehen, die ein kompaktes 8-poliges SOIC-Gehäuse und eine erweiterte Umgebungstemperaturfähigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 0,60 A Ausgangsstrom liefert zuverlässige MOSFET-Gate-Schaltleistung
• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb über gängige Schienen
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert höhere Gate-Drive-Spannungen für einen breiteren Einsatz
• 170 ns Anstiegszeit unterstützt kontrolliertes Einschalten zur Reduzierung von Überschlägen
• Die Abfallzeit von 30 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für effizientes Schalten
• Die minimale Versorgung von 10 V ermöglicht den Betrieb über gängige Schienen
• Die maximale Versorgung von 20 V toleriert höhere Gate-Drive-Spannungen für einen breiteren Einsatz
• 170 ns Anstiegszeit unterstützt kontrolliertes Einschalten zur Reduzierung von Überschlägen
• Die Abfallzeit von 30 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltung für effizientes Schalten
Anwendungsbereich
• Einsatz mit Leistungs-MOSFETs in industriellen Wandlern
• Geeignet für Niederspannungs-Motorantriebs-Gate-Stufen
• Ideal für Schaltstufen in Stromversorgungsmodulen
• Kann zur Gate-Steuerung bei DC/DC-Umwandlung verwendet werden
• Geeignet für Niederspannungs-Motorantriebs-Gate-Stufen
• Ideal für Schaltstufen in Stromversorgungsmodulen
• Kann zur Gate-Steuerung bei DC/DC-Umwandlung verwendet werden
Welches Gehäuse und welche Anzahl von Pins sollte ich für das Leiterplatten-Layout erwarten?
Das Gerät wird in einem 8-poligen SOIC geliefert, der für Standard-Durchsteck-Erdungsmuster und kompakte Oberflächenmontage-Layouts geeignet ist.
Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C ausgelegt, um anspruchsvollen thermischen Umgebungen gerecht zu werden.
Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf das Systemdesign aus?
Die angegebene Anstiegszeit von 170 ns und die Abfallzeit von 30 ns beeinflussen das Timing der Gate-Ladung und Schaltverluste und informieren über die Auswahl von Snubbern und Gate-Widerständen.
Ist dieses Teil für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität spezifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.
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