Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort 19 bit, SOIC 32-Pin

Dieser SRAM bietet einen schnellen, bytebreiten flüchtigen Speicher für Systeme, die einen Lese-/Schreibzugriff mit geringer Latenz erfordern. Es arbeitet als asynchrones Speichermodul, das über eine Nenn-5-V-Schiene betrieben wird, und ist für Anwendungen vorgesehen, die ein kompaktes, oberflächenmontierbares Gehäuse erfordern. Das Gerät funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und erfüllt die RoHS-Umweltanforderungen.

• Die Zugriffszeit von 45 ns ermöglicht eine schnelle Datenwiederherstellung für zeitkritische Aufgaben
• 4 MB Kapazität unterstützt umfangreiche temporäre Datenspeicherung
• 8-Bit-Organisation vereinfacht die Schnittstelle zu Standardbussen
• 32-poliger SOIC reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für dichte Layouts
• Asynchrones Timing ermöglicht flexible Steuerung mit einfacher Signalisierung

• Geeignet für die Pufferung großer Datensätze in eingebetteten Systemen
• Ideal für Firmware-Scratchpad und Speicherung von Laufzeitparametern
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen schnellen externen Speicher erfordern
• Kann für Bildlinienpuffer in Vision-Modulen verwendet werden
• Wird zur temporären Protokollierung in industriellen Steuerungen verwendet

Es funktioniert zwischen 4,50 V min. und 5,50 V max.

Es arbeitet von -40 °C bis +85 °C Umgebungstemperatur.

Der Speicher ist in 512.000 Wörtern mit je 8 Bit angeordnet und bietet insgesamt 4 MB.

Das Gerät wird in einem 32-poligen SOIC-Gehäuse mit einer Höhe von 1 mm geliefert.

Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen.