Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5324
Herst. Teile-Nr.:
CY62148ELL-55SXI
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4MBit

Organisation

512 k x 8 Bit

Anzahl der Wörter

512k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

55ns

Adressbusbreite

8bit

Taktfrequenz

1MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

32

Abmessungen

20.75 x 11.43 x 2.88mm

Arbeitsspannnung max.

5,5 V

Höhe

2.88mm

Arbeitsspannnung min.

4,5 V

Breite

11.43mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Länge

20.75mm

Ursprungsland:
US

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor


Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen


SRAM (Static Random Access Memory)

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