Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

RS Best.-Nr.:: 188-5324
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Hersteller:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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RS Best.-Nr.:: 188-5324
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Hersteller:: Infineon

Datasheet CY62148ELL-55SXI

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4MBit
Organisation	512 k x 8 Bit
Anzahl der Wörter	512k
Anzahl der Bits pro Wort	8bit
Zugriffszeit max.	55ns
Adressbusbreite	8bit
Taktfrequenz	1MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	SOIC
Pinanzahl	32
Abmessungen	20.75 x 11.43 x 2.88mm
Höhe	2.88mm
Arbeitsspannnung max.	5,5 V
Länge	20.75mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Breite	11.43mm
Arbeitsspannnung min.	4,5 V

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor

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