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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Cypress Semiconductor
	Produkt Typ	SRAM
	Speicher Größe	256kB
	Organisation	32K x 8 Bit
	Anzahl der Wörter	32k
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Zugriffszeit max.	10ns
	Minimale Versorgungsspannung	-0.5V
	Timing Typ	Asynchron
	Montageart	Durchsteckmontage
	Maximale Versorgungsspannung	6V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gehäusegröße	SOJ
	Pinanzahl	48
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Höhe	1mm
	Breite	8.1 mm
	Länge	11.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS

	Alle auswählen
	Marke Cypress Semiconductor
	Produkt Typ SRAM
	Speicher Größe 256kB
	Organisation 32K x 8 Bit
	Anzahl der Wörter 32k
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Zugriffszeit max. 10ns
	Minimale Versorgungsspannung -0.5V
	Timing Typ Asynchron
	Montageart Durchsteckmontage
	Maximale Versorgungsspannung 6V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gehäusegröße SOJ
	Pinanzahl 48
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Höhe 1mm
	Breite 8.1 mm
	Länge 11.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS

Datasheet CY7C199D-10VXIT

Temperaturbereich

-40 °C bis 85 °C.

Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C.

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns

Niedrige Wirkleistung

ICC = 80 mA bei 10 ns

Geringe CMOS-Standby-Leistung

ISB2 = 3 mA

2,0 V Data Ret

Automatische Abschaltung bei Deaktivierung

Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung

Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)

Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen

Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen

Cypress Semiconductor 256 kB SRAM 32k, 8 / Wort, SOJ 48-Pin

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