Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	256kbit
	Organisation	32 K x 8 bit
	Anzahl der Wörter	32k
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	10ns
	Adressbusbreite	8bit
	Taktfrequenz	100MHz
	Low Power	Ja
	Timing Typ	Asymmetrisch
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	TSOP
	Pinanzahl	28
	Abmessungen	11.9 x 8.1 x 1.15mm
	Höhe	1.15mm
	Arbeitsspannnung max.	5,5 V
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Arbeitsspannnung min.	4,5 V
	Länge	11.9mm
	Breite	8.1mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 256kbit
	Organisation 32 K x 8 bit
	Anzahl der Wörter 32k
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 10ns
	Adressbusbreite 8bit
	Taktfrequenz 100MHz
	Low Power Ja
	Timing Typ Asymmetrisch
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße TSOP
	Pinanzahl 28
	Abmessungen 11.9 x 8.1 x 1.15mm
	Höhe 1.15mm
	Arbeitsspannnung max. 5,5 V
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Arbeitsspannnung min. 4,5 V
	Länge 11.9mm
	Breite 8.1mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C

Datasheet CY7C199D-10VXI

Ursprungsland:: US

Temperaturbereich
-40 °C bis 85 °C.
Stift und Funktion kompatibel mit CY7C190C.
Hohe Geschwindigkeit
TAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Erhältlich in Pb-freien 28-poligen 300-mil-breiten geformten kleinen Outline-J-Leitergehäusen (SOJ) und 28-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) I-Gehäusen

Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

Verwandte Links