Infineon 16 MB SRAM 1M 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, TSOP 54-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
193-8470
Herst. Teile-Nr.:
CY7C10612G30-10ZSXI
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

16MB

Anzahl der Wörter

1M

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

16bit

Taktfrequenz max.

100MHz

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

TSOP

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

54

Länge

22.31mm

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

CY7C10612G

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

110mA

Ursprungsland:
TW
Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns

Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur

Niedrige Wirkleistung

ICC = 90 mA typisch

Geringe CMOS-Standby-Leistung

ISB2 = 20 mA (typisch)

Betriebsspannungen von 3,3 ± 0,3 V

1,0 V Datenspeicherung

Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)

ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur

Erhältlich in Pb-freiem 54-poligem TSOP II-Gehäuse

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