Infineon 16 MB SRAM 1000 k, 2000 k, 16 / Wort, TSOP I 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5284
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Organisation | 1M x 16 bit, 2M x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 1000 k, 2000 k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.3V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.9V | |
| Gehäusegröße | TSOP I | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Serie | CY62167EV30 | |
| Länge | 20mm | |
| Breite | 1.05 mm | |
| Höhe | 12mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Versorgungsstrom | 35mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Organisation 1M x 16 bit, 2M x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 1000 k, 2000 k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.3V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.9V | ||
Gehäusegröße TSOP I | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 48 | ||
Serie CY62167EV30 | ||
Länge 20mm | ||
Breite 1.05 mm | ||
Höhe 12mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Versorgungsstrom 35mA | ||
Der SRAM von Infineon ist ein leistungsstarker statischer CMOS-RAM, der als 1 Mio. Wörter pro 16 Bit oder 2 Mio. Wörter pro 8 Bit organisiert ist. Dieses Gerät verfügt über ein fortschrittliches Schaltkreisdesign, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Der extrem niedrige aktive Strom ist ideal für eine längere Batterielebensdauer in tragbaren Anwendungen wie Mobiltelefonen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch um 99 Prozent reduziert, wenn die Adressen nicht abgeschaltet werden.
Sehr hohe Geschwindigkeit
Extrem niedrige aktive Leistung
Extrem niedrige Standby-Leistung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
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