Infineon 512 kB SRAM 32k 1 MHz, 16 / Wort 16 bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 194-8908
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1020DV33-10ZSXI
- Hersteller:
- Infineon
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- CY7C1020DV33-10ZSXI
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Organisation | 32k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 10.26 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | CY7C1020DV33 | |
| Länge | 18.51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 60mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Organisation 32k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 44 | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 10.26 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie CY7C1020DV33 | ||
Länge 18.51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 60mA | ||
Der Cypress Semiconductor CY7C1020DV33 ist ein leistungsstarker statischer CMOS-RAM, der als 32.768 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch bei Abwahl deutlich reduziert.
Hohe Geschwindigkeit von typischerweise 10 ns
Niedrige Wirkleistung
Automatische Abschaltung bei Abwahl
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
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