Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 919-5019
Herst. Teile-Nr.:: IRFP260NPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

Preis pro 1 Stück (in Stange zu 25)**

€ 2,912

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Stück	Pro Stück	Pro Stange**
25 - 25	€ 2,912	€ 72,80
50 - 100	€ 2,766	€ 69,15
125 - 225	€ 2,65	€ 66,25
250 - 475	€ 2,533	€ 63,325
500 +	€ 2,358	€ 58,95

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 919-5019
Herst. Teile-Nr.:: IRFP260NPBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	40 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	234 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	15.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.3mm
Höhe	20.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

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