Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W TO-263

RS Best.-Nr.:: 257-9436
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4620TRLPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W TO-263

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Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	77.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Verlustleistung Pd	144W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 77.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Verlustleistung Pd 144W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS4620TRLPBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS4620TRLPBF

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor im Enhancement-Modus, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für platinenmontierte Stromversorgungen geeignet ist, und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen. Das Gerät verfügt über eine Eigenkörperdiode mit einer spezifizierten Durchlassspannung und ist RoHS-konform.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 77.5 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 25 nC sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Schaltnetzteil-Ausgangsschalter
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Stromversorgungsbaugruppen
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in nicht-automatischen Systemen

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?

Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 25 nC bei VGS

wählen Sie einen Treiber, der genügend Strom liefern und ableiten kann, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.

Wie wirkt sich die thermische Leistungsfähigkeit auf das Leiterplatten-Design aus?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 144 W sorgen Sie für eine ausreichende Kupferfläche oder Kühlkörper und Wärmeleitungen, um die Wärmeübertragung von der Sperrschicht zur Umgebung zu bewältigen.

Was sind die Grenzwerte für Steuer- und Signalspannungen?

Das Gate kann bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden

Gate-Source-Ausbrüche dürfen diesen Wert nicht überschreiten.

Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C für Anwendungen mit breitem Temperaturbereich ausgelegt.

Welche Diodencharakteristik ist für die umgekehrte Leitfähigkeit wichtig?

Die intrinsische Diode verfügt über eine Durchlassspannung von 1,3 V, die die Leitungsverluste bei Rückstromereignissen beeinflusst.