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    Infineon HEXFET IRF3205PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

    RS Best.-Nr.:
    919-4763
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF3205PBF
    Hersteller:
    Infineon
    Infineon
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    Herst. Teile-Nr.:
    IRF3205PBF
    Hersteller:
    Infineon
    Ursprungsland:
    CN

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
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    Informationen zur Produktgruppe

    N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


    Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.110 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.8 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.200 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite4.69mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge10.54mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs146 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    SerieHEXFET
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe8.77mm
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