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    Infineon HEXFET IRF3205PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

    RS Best.-Nr.:
    540-9783
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF3205PBF
    Hersteller:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


    Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.110 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.8 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.200 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.54mm
    Breite4.69mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs146 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    SerieHEXFET
    Höhe8.77mm
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