Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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737-7436
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF3205Z
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

16.51mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon


Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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