Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 370 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 725-9329
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB8748PBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 6,06
(ohne MwSt.)
€ 7,27
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 845 Einheit(en) mit Versand ab 10. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,212 | € 6,06 |
| 25 - 45 | € 1,15 | € 5,75 |
| 50 - 120 | € 1,036 | € 5,18 |
| 125 - 245 | € 0,932 | € 4,66 |
| 250 + | € 0,886 | € 4,43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 725-9329
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB8748PBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
