Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
688-6908
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3006PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.02mm

Automobilstandard

Nein

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