Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
906-4381
Herst. Teile-Nr.:
BSC010N04LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.35mm

Höhe

1.1mm

Länge

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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