Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4381
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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