Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
220-7349
Herst. Teile-Nr.:
BSC014N04LSTATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

205A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.

Niedriger RDS (EIN)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8

Längere Lebensdauer

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

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