Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

€ 10,965

(ohne MwSt.)

€ 13,155

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 14 985 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 60€ 0,731€ 10,97
75 - 135€ 0,693€ 10,40
150 - 360€ 0,665€ 9,98
375 - 735€ 0,635€ 9,53
750 +€ 0,592€ 8,88

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-8975
Herst. Teile-Nr.:
BSC0502NSIATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.65V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Monolithische integrierte Schottky-Diode

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links

Recently viewed