Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
214-8975
Herst. Teile-Nr.:
BSC0502NSIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.65V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

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