Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.480,00

(ohne MwSt.)

€ 1.775,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 10 000 Einheit(en) mit Versand ab 27. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,296€ 1.480,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-8973
Herst. Teile-Nr.:
BSC0502NSIATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Durchlassspannung Vf

0.65V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Länge

5.49mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Monolithische integrierte Schottky-Diode

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links