Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7501
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-434
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
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- 304-44-434
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.4W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.4W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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