Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0911
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R1K4CEATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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