Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 9 A 5 W, 4-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0914
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R650CEATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


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