Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 130-0897
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R380CEAUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPD50R380CEAUMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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