Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 168-5922
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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