Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 5.4 A 28 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2474
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R500CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 42,25
(ohne MwSt.)
€ 50,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 550 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,845 | € 42,25 |
| 100 - 200 | € 0,659 | € 32,95 |
| 250 - 450 | € 0,617 | € 30,85 |
| 500 - 1200 | € 0,575 | € 28,75 |
| 1250 + | € 0,532 | € 26,60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2474
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R500CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET der Infineon 500V Cool MOS TM CE-Serie ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensible Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem er weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Super-Junction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten. Es hat Anwendungen als PFC-Stufen, hart schaltende PWM-Stufen und resonante Schaltstufen vor .g. PC Silver Box, Adapter, LCD und PDPTV sowie Innenbeleuchtung.
Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe FOM Rdson * Qg und EOSS
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Zugelassen für Standardanwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251