Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 74 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 214-9103
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 14,575
(ohne MwSt.)
€ 17,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 225 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,583 | € 14,58 |
| 125 - 225 | € 0,454 | € 11,35 |
| 250 - 600 | € 0,426 | € 10,65 |
| 625 - 1225 | € 0,396 | € 9,90 |
| 1250 + | € 0,367 | € 9,18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9103
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220