Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-9867
Herst. Teile-Nr.:
IPAW60R600CEXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.5nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

28W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.27mm

Länge

11.3mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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