Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 74 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
214-9102
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R800CEAKMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.2nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Zugelassen für Standardanwendungen

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