Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-263

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Distrelec-Artikelnummer:
304-44-446
Herst. Teile-Nr.:
IRF530NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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