Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4842
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4842
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 70W maximale Verlustleistung - IRF530NPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für effiziente Schaltanwendungen konzipiert und bietet eine robuste Leistung in verschiedenen Umgebungen. Durch seine N-Kanal-Anreicherungsmodus-Konfiguration eignet er sich für zahlreiche elektronische und elektrische Anwendungen, bei denen ein effektives Strommanagement entscheidend ist. Die Schlüsselspezifikationen machen ihn zu einer wichtigen Komponente in modernen Automatisierungs- und Steuerungssystemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand von 90 mΩ verbessert die Effizienz
• Maximale Drain-Stromaufnahme von 17A
• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit reduziert Energieverluste
• Robustes Design verbessert die Zuverlässigkeit unter Last
• Vielseitiges TO-220AB-Gehäuse erleichtert die Integration
Anwendungsbereich
• Energiemanagement in der industriellen Automatisierung
• Integration in Motorsteuerungsschaltungen
• Einsatz in Stromversorgungssystemen zur Spannungsregelung
• Anwendung in hocheffizienten Umrichtern und Wechselrichtern
• Geeignet für Unterhaltungselektronik, die eine dynamische Lastunterstützung erfordert
Gibt es eine bestimmte Gate-Spannung, die für einen optimalen Betrieb erforderlich ist?
Der Baustein arbeitet effektiv mit einem Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V und gewährleistet eine zuverlässige Schaltfunktion.
Wie hoch ist der maximale Impulsabflussstrom dieses Geräts?
Der maximale gepulste Drain-Strom ist auf 60 A ausgelegt, so dass transiente Bedingungen ohne Beeinträchtigung der Geräteintegrität möglich sind.
Wie wirken sich die Werte des Wärmewiderstands auf die Leistung aus?
Mit einem Wärmewiderstand von 2,15°C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse ist eine effektive Wärmeableitung entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei hoher Last.
Welche Überlegungen sollte ich beim Löten dieses Bauteils anstellen?
Die empfohlene Löttemperatur beträgt 300°C für eine Dauer von 10 Sekunden. Es ist wichtig, sich an diese Richtlinie zu halten, um Schäden zu vermeiden.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.