Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
831-2825
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-445
Herst. Teile-Nr.:
IRF5210STRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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