Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-5813
Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NSTRLPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 800)**

€ 0,84

(ohne MwSt.)

€ 1,01

(inkl. MwSt.)

530 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Stück	Pro Stück	Pro Rolle**
800 - 800	€ 0,84	€ 672,00
1600 +	€ 0,798	€ 638,40

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-5813
Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NSTRLPBF
Hersteller:: Infineon

IRF9540NSTRLPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	23 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	117 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	73 nC @ 10 V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

Verwandte Produkte