Microchip LND150 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
829-3250
Herst. Teile-Nr.:
LND150N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

LND150

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1kΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.2mm

Höhe

5.33mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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