Microchip LND150 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*

€ 404,00

(ohne MwSt.)

€ 485,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
1000 +€ 0,404€ 404,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
170-4342
Herst. Teile-Nr.:
LND150N3-G
Hersteller:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

LND150

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1kΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.33mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.2mm

Breite

4.19 mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


Verwandte Links