Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
333-174
Herst. Teile-Nr.:
LND150K1-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

LND150

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Entleerung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor von Microchip, der die laterale DMOS-Technologie von Supertex nutzt. Das Gate ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schalter, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und Verstärkung.

Frei von Sekundärpannen

Geringer Leistungsbedarf des Antriebs

Einfaches Parallelisieren

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS

ESD-Gate-Schutz

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