Microchip LND150N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 30 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

RS Best.-Nr.:: 829-3253
Herst. Teile-Nr.:: LND150N8-G
Hersteller:: Microchip

Voraussichtlich ab 24.10.2023 verfügbar.

Im Warenkorb

Preis pro 1 Stück (in Packung zu 20)

€ 0,847

(ohne MwSt.)

€ 1,016

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 20	€ 0,847	€ 16,94
40 - 80	€ 0,805	€ 16,10
100 +	€ 0,742	€ 14,84
*Bitte VPE beachten

Verpackungsoptionen:

Standardverpackung

Produktionsverpackung

RS Best.-Nr.:: 829-3253
Herst. Teile-Nr.:: LND150N8-G
Hersteller:: Microchip

Datenblätter und Anleitungen

Build or Request PCB Symbol & Footprint

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 mA
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-243AA
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	1 kΩ
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.6mm