Microchip LND150 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 1.6 W, 4-Pin TO-243

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RS Best.-Nr.:
829-3253
Herst. Teile-Nr.:
LND150N8-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-243

Serie

LND150

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1kΩ

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

900mV

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.6mm

Länge

4.6mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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