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    Microchip DN2530N3-G N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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    829-3320
    Herst. Teile-Nr.:
    DN2530N3-G
    Hersteller:
    Microchip
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    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


    Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

    Merkmale


    Hohe Eingangsimpedanz
    Niedrige Eingangskapazität
    Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedriger Eingangs- und Leckstrom

    Typische Anwendungen:


    Schließerschalter
    Halbleiterrelais
    Wandler
    Lineare Verstärker
    Konstantstrom-Quellen
    Netzteilschaltungen
    Telekommunikation

    Der N-Kanal-Absenkmodus-Transistor Microchip DN2530 (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine Advanced vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 300 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 25 Ω.

    Hohe Eingangsimpedanz
    Niedrige Eingangskapazität
    Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedriger Eingangs- und Leckstrom
    Frei von Blei (Pb)
    3-adriges TO-92-Gehäuse


    MOSFET-Transistoren, Microchip

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.175 mA
    Drain-Source-Spannung max.300 V
    GehäusegrößeTO-92
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.12 Ω
    Channel-ModusDepletion
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Verlustleistung max.740 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge5.2mm
    Breite4.19mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe5.33mm
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