Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 829-3320
Herst. Teile-Nr.:: DN2530N3-G
Hersteller:: Microchip

Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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Herst. Teile-Nr.:: DN2530N3-G
Hersteller:: Microchip

DN2530, N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	175 mA
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Gehäusegröße	TO-92
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Verlustleistung max.	740 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.19mm
Länge	5.2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	5.33mm

Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Merkmale

Typische Anwendungen:

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