Microchip DN2530 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 300 V / 170 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
829-3320
Herst. Teile-Nr.:
DN2530N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Serie

DN2530

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.19 mm

Länge

5.2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.33mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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