Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 827-4004
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP250MPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
25 weitere Einheiten hinzufügen, um 13% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 14,58
(ohne MwSt.)
€ 17,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,916 | € 14,58 | - |
| 25 - 45 | € 2,508 | € 12,54 | 13% |
| 50 - 120 | € 2,336 | € 11,68 | 19% |
| 125 - 245 | € 2,16 | € 10,80 | 25% |
| 250 + | € 1,312 | € 6,56 | 55% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-4004
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP250MPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214W maximale Verlustleistung - IRFP250MPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Leistung und Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 30 A und einer Drain-Source-Spannung von 200 V eignet er sich für Aufgaben in der Automatisierungs- und Elektronikbranche. Seine Konstruktion gewährleistet eine effektive thermische Leistung, was seine Verwendung in der Elektro- und Maschinenbauindustrie fördert.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamischer dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität während des Betriebs
• Verbesserte thermische Eigenschaften, mit einer Betriebstemperatur von bis zu 175°C
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
• Vollständig avalanche-tauglich, bietet Überspannungsschutz
• Einfache Antriebsanforderungen für eine leichtere Integration in Entwürfe
Anwendungsbereich
• Geeignet für hochfrequentes Schalten
• Ideal für Stromversorgungen und Wandler
• Anwendbar in Motorsteuerungssystemen und industriellen Antrieben
• Verwendung in Systemen für erneuerbare Energien, wie z. B. Solarwechselrichtern
Wie wird die Wärmeleistung in anspruchsvollen Umgebungen gesteuert?
Die Wärmewiderstandseigenschaften sind für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt und ermöglichen einen Betrieb von -55°C bis +175°C.
Was sind die Auswirkungen des niedrigen Rds(on)?
Der niedrige Durchlasswiderstand führt zu einer geringeren Verlustleistung während der Leitung, was die Gesamteffizienz des Systems erhöht und die thermische Belastung der Komponenten reduziert.
Kann dieses Gerät für parallele Konfigurationen verwendet werden?
Ja, das Design erleichtert die Parallelschaltung, erhöht die Stromkapazität und verbessert die thermische Leistung bei Hochleistungsanwendungen.
Was ist bei der Auswahl der Gate-Treiberspannung zu beachten?
Eine Gate-Treiberspannung zwischen 2V und 4V ist optimal, um eine ausreichende Schaltleistung zu gewährleisten und unerwünschten Betrieb zu vermeiden.
Welche Maßnahmen gibt es zum Schutz vor Überspannungen?
Der MOSFET ist voll Avalanche-tauglich, schützt vor transienten Überspannungen und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter schwankenden Bedingungen.