Vishay Einfach SQ Rugged Typ N, Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage, SMD MOSFET 50 V Erweiterung / 50 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 787-9493
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 787-9493
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50N05-11L_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Montageart | Leiterplattenmontage, SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Montageart Leiterplattenmontage, SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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