Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9468
Herst. Teile-Nr.:
SQ3460EV-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.77V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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