Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 32 A 83 W, 5-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
787-9496
Herst. Teile-Nr.:
SQJ412EP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.03 mm

Höhe

1.14mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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