Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
787-9443
Herst. Teile-Nr.:
SQ2310ES-T1_BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SQ Rugged

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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