Vishay SQ2318CES N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7 A 2 W, 3-Pin SOT-23-3
- RS Best.-Nr.:
- 735-119
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2318CES-T1_BE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 0,32
(ohne MwSt.)
€ 0,38
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 24 | € 0,32 |
| 25 - 99 | € 0,22 |
| 100 + | € 0,12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-119
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2318CES-T1_BE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23-3 | |
| Serie | SQ2318CES | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.031Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.36mm | |
| Breite | 3.01mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-23-3 | ||
Serie SQ2318CES | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.031Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.36mm | ||
Breite 3.01mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der MOSFET von Vishay bietet ein effizientes Energiemanagement für Hochleistungsanwendungen und ist in der Lage, einer Ablassquellenspannung von bis zu 40 V standzuhalten und gleichzeitig einen zuverlässigen Betrieb bei hohen Temperaturen von bis zu 175 °C zu gewährleisten.
Einzelimpuls-Avalanche-Nennstrom von 13 A
Kompaktes SOT-23-Gehäuse minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte
Verwandte Links
- Vishay SQ2308FES N-Kanal 3-Pin SOT-23-3
- Vishay SQ2337CES P-Kanal 3-Pin SOT-23-3
- Vishay SQS484CENW N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay SQS840CENW N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 6-Pin TSOP-6
- Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal 8-Pin SO-8L
- Vishay SQ4946CEY Dual-N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23