onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin PQFN

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760-5918
Herst. Teile-Nr.:
FDMS8622
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.05mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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