onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8

RS Best.-Nr.:: 146-3370
Herst. Teile-Nr.:: FDMS86183
Hersteller:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8

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RS Best.-Nr.:: 146-3370
Herst. Teile-Nr.:: FDMS86183
Hersteller:: onsemi

FDMS86183, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	51 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	PowerTrench
Gehäusegröße	PQFN8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	12,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	63 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.85mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Höhe	1.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN8

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N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor

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