onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 41 W, 8-Pin Leistung 33

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759-9550
Herst. Teile-Nr.:
FDMC86102L
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

Leistung 33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.75mm

Breite

3.3 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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