onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 41 W, 8-Pin Leistung 33

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RS Best.-Nr.:
864-5027
Herst. Teile-Nr.:
FDMC86102L
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

Leistung 33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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